Cxmt avvia la produzione di massa della sua DRAM G5 di quinta generazione
La nuova piattaforma G5 utilizza tecnologia di quadruple patterning e aumenta la produttività del 50%, con nuovi chip LPDDR5X da 24 Gb per smartphone.
La cinese ChangXin Memory Technologies (Cxmt) ha annunciato l'avvio della produzione di massa della sua piattaforma Dram di quinta generazione, denominata G5, segnando un nuovo passo nello sviluppo della tecnologia nazionale dei semiconduttori. L'annuncio è stato fatto ieri alla World Manufacturing Convention di Hefei, nella provincia dell'Anhui.
Secondo il comunicato diffuso dalla società, la nuova piattaforma utilizza una tecnologia di quadruple patterning per ridurre a 11,95 nanometri l'half-pitch dell'area attiva degli array di memoria. Cxmt afferma che il risultato avvicina la propria tecnologia ai più avanzati processi Dram attualmente in produzione di massa a livello globale. La piattaforma integra inoltre nuove soluzioni di processo e materiali e raggiunge un rapporto di profondità rispetto alla larghezza dei condensatori di 45:1.
Uno degli elementi evidenziati dall'azienda riguarda la produttività: sulla base di un confronto con la precedente piattaforma di quarta generazione e utilizzando come riferimento chip da 8 Gb, il numero di die ottenibili da ciascun wafer è aumentato di almeno il 50%. Cxmt indica inoltre miglioramenti in termini di efficienza energetica e controllo dei costi.
Contestualmente, Cxmt ha presentato due nuovi prodotti Lpddr5x da 24 Gb realizzati sulla piattaforma G5, destinati a smartphone di fascia medio-alta e ad altri dispositivi elettronici portatili. Secondo la società, la capacità dei nuovi chip è superiore del 50% rispetto ai prodotti della generazione precedente e i due modelli sono già entrati nella produzione su larga scala.
